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2SB772
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 30 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2SB772
No. Parte Newark38M2093
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2SB772
No. Parte Newark38M2093
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30
Corriente del Colector Continua3
Corriente de Colector DC3A
Disipación de Potencia12.5
Disipación de Potencia Pd12.5W
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-32
Frecuencia de Transición100
Temperatura de Trabajo Máx.-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30
Corriente de Colector DC
3A
Disipación de Potencia Pd
12.5W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
SOT-32
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia
12.5
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto