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VT6M1T2CR
MOSFET, CANAL N Y P, 20V, VMT6
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteVT6M1T2CRCopiar
No. Parte Newark10AC9375
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N100mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente3.8ohm
Diseño de TransistorVMT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N150mW
Disipación de Potencia de Canal P150mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
3.8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
150mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
100mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3.5ohm
Diseño de Transistor
VMT
Disipación de Potencia de Canal N
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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