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UT6J3TCR1
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -3A, DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.180 |
| 10+ | $0.748 |
| 25+ | $0.678 |
| 50+ | $0.608 |
| 100+ | $0.538 |
| 250+ | $0.492 |
| 500+ | $0.445 |
| 1000+ | $0.405 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteUT6J3TCR1
No. Parte Newark51AH6516
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.06ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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