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US6K1TR
MOSFET, DUAL, NN
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark74M5113
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.989 |
| 10+ | $0.618 |
| 100+ | $0.402 |
| 500+ | $0.309 |
| 1000+ | $0.279 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteUS6K1TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark74M5113
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.24ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTUMT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.24ohm
Diseño de Transistor
TUMT
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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