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SP8M51HZGTB
MOSFET, N & P-CH, 100V, 3A, SOP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.340 |
| 10+ | $1.530 |
| 25+ | $1.370 |
| 50+ | $1.210 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $0.944 |
| 500+ | $0.837 |
| 1000+ | $0.806 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSP8M51HZGTB
No. Parte Newark91AH9090
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.17ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.29ohm
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.29ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.17ohm
Diseño de Transistor
SOP
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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