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SP8J66FRATB
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, 30V, SOP ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSP8J66FRATBCopiar
No. Parte Newark69AH2521
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0185ohm
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0185ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOP
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto