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SCT4062KEC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4062KEC11
No. Parte Newark29AK7120
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.840 |
| 10+ | $7.370 |
| 25+ | $7.350 |
| 50+ | $7.320 |
| 100+ | $7.300 |
| 250+ | $7.300 |
| 900+ | $7.290 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4062KEC11
No. Parte Newark29AK7120
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id26
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.062
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia115
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.062
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Disipación de Potencia
115
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
26
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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