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SCT4045DW7TL
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4045DW7TL
No. Parte Newark29AK7119
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.060 |
| 10+ | $9.430 |
| 25+ | $8.910 |
| 50+ | $8.390 |
| 100+ | $7.870 |
| 250+ | $7.570 |
| 500+ | $7.260 |
| 1000+ | $6.170 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4045DW7TL
No. Parte Newark29AK7119
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id31
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia93
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Disipación de Potencia
93
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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