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SCT4018KEC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4018KEC11
No. Parte Newark29AK7108
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 39 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $23.81 |
| 5+ | $22.66 |
| 10+ | $21.52 |
| 25+ | $20.36 |
| 50+ | $19.65 |
| 100+ | $19.27 |
| 250+ | $18.93 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4018KEC11
No. Parte Newark29AK7108
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id81
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia312
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
81
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
312
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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