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SCT3060AW7TL
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060AW7TL
No. Parte Newark93AH0359
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.180 |
| 10+ | $13.710 |
| 25+ | $13.570 |
| 50+ | $13.420 |
| 100+ | $13.280 |
| 250+ | $13.270 |
| 500+ | $13.250 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060AW7TL
No. Parte Newark93AH0359
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id38
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia159
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
7Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
159
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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