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SCT3060ALGC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060ALGC11
No. Parte Newark05AC9463
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.810 |
| 10+ | $13.430 |
| 25+ | $12.020 |
| 60+ | $11.400 |
| 120+ | $10.990 |
| 270+ | $10.540 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060ALGC11
No. Parte Newark05AC9463
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id39
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia165
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Disipación de Potencia
165
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
39
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SCT3060ALGC11
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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