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SCT3022KLHRC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3022KLHRC11
No. Parte Newark02AH4680
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $117.390 |
| 5+ | $117.390 |
| 10+ | $117.390 |
| 25+ | $117.380 |
| 50+ | $117.380 |
| 100+ | $117.380 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3022KLHRC11
No. Parte Newark02AH4680
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id95
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia427
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
427
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
95
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247N
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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