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RZR025P01TL
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 2.5 A, 44 mohm, TSMT, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRZR025P01TLCopiar
No. Parte Newark28W2072
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente300
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia Pd
1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
300
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto