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RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, DFN1010 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.751 |
| 10+ | $0.561 |
| 25+ | $0.510 |
| 50+ | $0.460 |
| 100+ | $0.409 |
| 250+ | $0.370 |
| 500+ | $0.330 |
| 1000+ | $0.270 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV8C010UNHZGG2CR
No. Parte Newark04AJ4471
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.47ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN1010
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.47ohm
Diseño de Transistor
DFN1010
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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