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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV4C020ZPHZGTCR1
No. Parte Newark15AJ3158
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.190 |
| 10+ | $0.725 |
| 25+ | $0.659 |
| 50+ | $0.592 |
| 100+ | $0.526 |
| 250+ | $0.482 |
| 500+ | $0.437 |
| 1000+ | $0.404 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV4C020ZPHZGTCR1
No. Parte Newark15AJ3158
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.26ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN1616
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.26ohm
Diseño de Transistor
DFN1616
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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