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RV3C002UNT2CL
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV3C002UNT2CL
No. Parte Newark69AH2053
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.464 |
| 10+ | $0.265 |
| 25+ | $0.220 |
| 50+ | $0.175 |
| 100+ | $0.149 |
| 250+ | $0.139 |
| 500+ | $0.130 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV3C002UNT2CL
No. Parte Newark69AH2053
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Diseño de TransistorDFN0603
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN0603
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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