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RUR040N02FRATL
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 20V, 4A, TSMT-3
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUR040N02FRATL
No. Parte Newark89Y7360
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUR040N02FRATL
No. Parte Newark89Y7360
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto