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RTQ035P02HZGTR
MOSFET, P-CH, -20V, 150DEG C, 1.25W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRTQ035P02HZGTR
No. Parte Newark40AH1216
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.754 |
| 25+ | $0.687 |
| 50+ | $0.621 |
| 100+ | $0.554 |
| 250+ | $0.495 |
| 500+ | $0.437 |
| 1000+ | $0.394 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRTQ035P02HZGTR
No. Parte Newark40AH1216
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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