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RQ6P015SPTR
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ6P015SPTR
No. Parte Newark71Y9254
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.22 |
| 10+ | $0.75 |
| 100+ | $0.50 |
| 500+ | $0.39 |
| 1000+ | $0.30 |
| 2500+ | $0.28 |
| 12000+ | $0.26 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ6P015SPTR
No. Parte Newark71Y9254
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RQ6P015SPTR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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