RQ6E035ATTCR

MOSFET Transistor, P Channel, -3.5 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -2.5 V RoHS Compliant: Yes

Fecha y lote

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ROHM RQ6E035ATTCR
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ6E035ATTCR
No. Parte Newark71Y9252
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Información del producto

FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ6E035ATTCR
No. Parte Newark71Y9252
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

P Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

30V

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.05ohm

Diseño de Transistor

TSMT

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

2.5V

No. de Pines

6Pines

Rango de Producto

-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

-

Transistor, Polaridad

0

Intensidad Drenador Continua Id

3.5A

Resistencia de Activación Rds(on)

0

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

0

Disipación de Potencia

1.25W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (23-Jan-2024)

Documentos técnicos (1)

Alternativas para el número de pieza RQ6E035ATTCR

1 producto (s) encontrado (s)

Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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