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RQ3E160ADTB
MOSFET, N-CH, 30V, HSMT
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ3E160ADTB
No. Parte Newark82AC3044
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.896 |
| 10+ | $0.589 |
| 25+ | $0.536 |
| 50+ | $0.483 |
| 100+ | $0.430 |
| 250+ | $0.397 |
| 500+ | $0.363 |
| 1000+ | $0.340 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ3E160ADTB
No. Parte Newark82AC3044
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3500µohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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