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RJ1P10BATTL1
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRJ1P10BATTL1
No. Parte Newark91AM7566
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.910 |
| 10+ | $6.210 |
| 25+ | $5.780 |
| 50+ | $5.330 |
| 100+ | $4.760 |
| 250+ | $3.990 |
| 500+ | $3.840 |
| 1600+ | $3.670 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.91
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRJ1P10BATTL1
No. Parte Newark91AM7566
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id105
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0119
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia201
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
105
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
201
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0119
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto