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RGS80TSX2GC11
IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pines
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRGS80TSX2GC11
No. Parte Newark91AH8882
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRGS80TSX2GC11
No. Parte Newark91AH8882
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia555
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247N
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
80
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
555
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto