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RD3L050SNTL1
MOSFET, CANAL N, 60V, 5A, 150°C, 15W
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.940 |
| 10+ | $1.230 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.958 |
| 100+ | $0.823 |
| 250+ | $0.736 |
| 500+ | $0.650 |
| 1000+ | $0.594 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3L050SNTL1Copiar
No. Parte Newark23AH3407
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.109ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia15W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.109ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
15W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto