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RD3G07BATTL1
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 70 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6095
Re-reeling (Rollos a medida)22AJ0390RL
Cinta adhesiva22AJ0390
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346 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $3.240 | $16.20 |
| Total Precio | $16.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $3.240 |
| 10+ | $1.660 |
| 15+ | $1.610 |
| 25+ | $1.550 |
| 50+ | $1.500 |
| 125+ | $1.440 |
| 250+ | $1.410 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.360 |
| 5000+ | $1.330 |
| 7500+ | $1.300 |
| 12500+ | $1.270 |
| 25000+ | $1.250 |
| 62500+ | $1.220 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6095
Re-reeling (Rollos a medida)22AJ0390RL
Cinta adhesiva22AJ0390
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia101W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
101W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto