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RAL035P01TCR
MOSFET, P-CH, -12V, -3.5A, TUMT-6
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.814 |
| 10+ | $0.504 |
| 25+ | $0.444 |
| 50+ | $0.385 |
| 100+ | $0.325 |
| 300+ | $0.287 |
| 500+ | $0.248 |
| 1000+ | $0.224 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRAL035P01TCR
No. Parte Newark10AC8625
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTUMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
TUMT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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