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QH8MA4TCR
MOSFET, CANAL N Y P, 30V, 9A, TSMT8
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8MA4TCRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10AC8610RL
Cinta adhesiva10AC8610
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.510 | $1.51 |
| Total Precio | $1.51 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.510 |
| 50+ | $0.711 |
| 100+ | $0.633 |
| 250+ | $0.564 |
| 500+ | $0.495 |
| 1000+ | $0.485 |
| 2500+ | $0.475 |
| 5000+ | $0.465 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8MA4TCRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10AC8610RL
Cinta adhesiva10AC8610
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0286ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.6W
Disipación de Potencia de Canal P2.6W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0286ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.6W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
2.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto