Imprimir página
QH8JC5TCR
MOSFET Dual, Doble Canal P, 60 V, 3.5 A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8JC5TCR
No. Parte Newark22AJ0381
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,940 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.780 |
| 10+ | $1.180 |
| 25+ | $1.050 |
| 50+ | $0.924 |
| 100+ | $0.793 |
| 250+ | $0.711 |
| 500+ | $0.627 |
| 1000+ | $0.574 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8JC5TCR
No. Parte Newark22AJ0381
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.091ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.091ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto