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QH8JA1TCR
MOSFET, DOBLE CANAL P, -20V, -5A, 1.1W
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8JA1TCRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82AC3024RL
Cinta adhesiva82AC3024
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.600 | $1.60 |
| Total Precio | $1.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 50+ | $0.750 |
| 100+ | $0.667 |
| 250+ | $0.594 |
| 500+ | $0.521 |
| 1000+ | $0.511 |
| 2500+ | $0.500 |
| 5000+ | $0.490 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8JA1TCRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82AC3024RL
Cinta adhesiva82AC3024
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.038ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.1W
Disipación de Potencia de Canal P1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.038ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto