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EMB10FHAT2R
RF TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, 2.2K/47K
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteEMB10FHAT2R
No. Parte Newark24AC4870
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteEMB10FHAT2R
No. Parte Newark24AC4870
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R12.2kohm
Resistencia R2 Base Emisor47kohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia150mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
2.2kohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
47kohm
No. de Pines
6 Pin
Disipación de Potencia
150mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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