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DTD123ECHZGT116
RF TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 2.2K/2.2K
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteDTD123ECHZGT116
No. Parte Newark24AC4752
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteDTD123ECHZGT116
No. Parte Newark24AC4752
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua500mA
Resitencia Básica de Entrada R12.2kohm
Resistencia R2 Base Emisor2.2kohm
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.39hFE
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
2.2kohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
500mA
Resistencia R2 Base Emisor
2.2kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
200mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
39hFE
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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