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BSS63AHZGT116
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.340 |
| 10+ | $0.207 |
| 25+ | $0.181 |
| 50+ | $0.156 |
| 100+ | $0.130 |
| 250+ | $0.113 |
| 500+ | $0.096 |
| 1000+ | $0.082 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSS63AHZGT116
No. Parte Newark68AH9142
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSS63AHZGT116
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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