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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM600D12P4G103Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark70AK6462
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $922.300 |
| 5+ | $918.040 |
| 10+ | $918.030 |
| 25+ | $918.020 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM600D12P4G103Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark70AK6462
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id567A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
No. de Pines11Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8V
Disipación de Potencia1.78kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
567A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
11Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
1.78kW
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
