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BSM400C12P3G202
MOSFET de carburo de silicio, Contactor, Canal N, 400 A, 1.2 kV, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM400C12P3G202
No. Parte Newark88AH6167
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM400C12P3G202
No. Parte Newark88AH6167
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETContactor
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id400A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia1.57kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
- G - S voltage range from -4 to 26V (surge<300nsec, D-S short)
- Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
- Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Contactor
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
-
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.57kW
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
400A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto