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AG542EGS4FRATCB
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 67 A, 0.0166 ohm, HPLF5060TSAH, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG542EGS4FRATCB
No. Parte Newark89AM6443
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.140 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.720 |
| 50+ | $1.580 |
| 100+ | $1.370 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.110 |
| 1000+ | $1.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG542EGS4FRATCB
No. Parte Newark89AM6443
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id67
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0166
Diseño de TransistorHPLF5060TSAH
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia75
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
67
Diseño de Transistor
HPLF5060TSAH
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
75
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0166
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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