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2SK3019TL
MOSFET de Potencia, Bajo Control de Compuerta, Canal N, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3019TL
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)74M6353
Cinta adhesiva74M6353
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Opciones de embalaje
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3019TL
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)74M6353
Cinta adhesiva74M6353
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente13ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorEMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Disipación de Potencia Pd150mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza 2SK3019TL
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El 2SK3019TL es un MOSFET de silicio de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continua de ±100mA. Es adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación e interfaz.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- La unidad de bajovoltaje de 2.5V hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles
- Los circuitos de manejo pueden ser simples
- El uso paralelo es fácil
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
13ohm
Diseño de Transistor
EMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
150mW
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto