Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3018T106Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40P3488
Cinta adhesiva40P3488
Su número de pieza
12,737 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.330 | $0.33 |
| Total Precio | $0.33 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.330 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3018T106Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40P3488
Cinta adhesiva40P3488
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2SK3018T106 es un MOSFET de silicio de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continua de ±100mA. Es adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación e interfaz.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- La unidad de bajovoltaje de 2.5V hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles
- Los circuitos de manejo pueden ser simples
- El uso paralelo es fácil
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2SK3018T106
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
