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2SK3018T106
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3018T106
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6756
Re-reeling (Rollos a medida)40P3488
Cinta adhesiva40P3488
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
22,804 En Inventario
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6179 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
16625 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.330 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.103 |
| 6000+ | $0.088 |
| 12000+ | $0.079 |
| 18000+ | $0.075 |
| 30000+ | $0.068 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3018T106
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6756
Re-reeling (Rollos a medida)40P3488
Cinta adhesiva40P3488
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2SK3018T106 es un MOSFET de silicio de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continua de ±100mA. Es adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación e interfaz.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- La unidad de bajovoltaje de 2.5V hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles
- Los circuitos de manejo pueden ser simples
- El uso paralelo es fácil
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2SK3018T106
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto