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2SC5662T2LP
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SC5662T2LP
No. Parte Newark40P3460
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SC5662T2LP
No. Parte Newark40P3460
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor11V
Corriente del Colector Continua10mA
Disipación de Potencia150mW
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorVMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3.2GHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.56hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
11V
Disipación de Potencia
150mW
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
56hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
10mA
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
VMT
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
3.2GHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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