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UJ4SC075010L8S
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 106A, SOIC
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075010L8SCopiar
No. Parte Newark50AM7316
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
1,980 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.030 |
| 10+ | $21.910 |
| 25+ | $21.640 |
| 50+ | $21.370 |
| 100+ | $21.100 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075010L8SCopiar
No. Parte Newark50AM7316
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id106A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0142ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia556W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
106A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0142ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
556W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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