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NXH015F120M3F1PTG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 77A, MODULE ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $90.420 |
| 5+ | $88.760 |
| 10+ | $87.020 |
| 25+ | $86.140 |
| 56+ | $85.300 |
| 112+ | $81.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH015F120M3F1PTG
No. Parte Newark49AM1340
Configuración de Módulo MOSFETFull Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id77A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia198W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Full Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
77A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
198W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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