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NXH010P90MNF1PTG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P90MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark32AK4642
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $140.020 |
| 5+ | $137.220 |
| 10+ | $134.420 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P90MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark32AK4642
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id154
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01003
Diseño de TransistorModule
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.74
Disipación de Potencia328
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
154
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01003
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.74
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
328
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NXH010P90MNF1PTG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto