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NVH4L025N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 99 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L025N065SC1
No. Parte Newark57AK6424
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L025N065SC1
No. Parte Newark57AK6424
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id99
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0285
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
99
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0285
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
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