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NTZD3155CT1G.
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 540 mA, 430 mA, 0.55 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1G.
No. Parte Newark26AC2771
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.168 |
| 6000+ | $0.152 |
| 12000+ | $0.139 |
| 18000+ | $0.131 |
| 30000+ | $0.122 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 4000
$672.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1G.
No. Parte Newark26AC2771
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P430
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.9
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
430
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.9
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidad del producto