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NTMS4177PR2G
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -11.4A, SOIC-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMS4177PR2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5843
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7052RL
Cinta adhesiva81Y7052
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2,167 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.630 | $8.15 |
| Total Precio | $8.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.630 |
| 10+ | $0.815 |
| 15+ | $0.793 |
| 25+ | $0.771 |
| 50+ | $0.748 |
| 125+ | $0.726 |
| 250+ | $0.711 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.677 |
| 5000+ | $0.656 |
| 7500+ | $0.609 |
| 12500+ | $0.563 |
| 25000+ | $0.548 |
| 62500+ | $0.539 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMS4177PR2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5843
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7052RL
Cinta adhesiva81Y7052
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id11.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMS4177PR2G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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