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NTJS4151PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJS4151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7048RL
Cinta adhesiva81Y7048
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.594 | $0.59 |
| Total Precio | $0.59 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.594 |
| 50+ | $0.380 |
| 100+ | $0.254 |
| 250+ | $0.227 |
| 500+ | $0.200 |
| 1000+ | $0.182 |
| 2500+ | $0.178 |
| 5000+ | $0.175 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJS4151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7048RL
Cinta adhesiva81Y7048
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
- Gate diodes for ESD protection
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTJS4151PT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto