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NSVBAT54SWT1G
Diodo Schottky de Señal Pequeña, Serie doble, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVBAT54SWT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark13AC6201
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 9000+ | $0.055 |
| 27000+ | $0.054 |
| 45000+ | $0.053 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 9000
Múltiple: 9000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVBAT54SWT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark13AC6201
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoSerie doble
Voltaje Reverso Pico Repetitivo30
Corriente Directa Promedio200
Voltaje Directo Máx.800
Corriente de Sobretensión Directa600
Temperatura de Trabajo Máx.125
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-323
No. de Pines3Pines
Tiempo de Recuperación Inversa5
Montaje del DiodoSurface Mount
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NSVBAT54SWT1G is a dual series schottky barrier diode. It is designed for high-speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand-held and portable applications where space is limited.
- Extremely fast switching speed, AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- Forward voltage is 0.35V typ (IF = 10mA, TA = 25°C)
- Reverse voltage is 30V (TJ = 125°C), total power dissipation is 200mW at TA = 25°C
- Forward current (DC) is 200mA, non-repetitive peak forward current tp <lt/> 10 msec is 600mA
- Repetitive peak forward current is 300mA (Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%)
- Reverse leakage is 0.5µA typ (VR = 25V, TA = 25°C)
- Total capacitance is 7.6pF typ (VR = 1.0V, f = 1.0MHz, TA = 25°C)
- Reverse recovery time is 5.0ns (IF = IR = 10mAdc, IR(REC) = 1.0mAdc, TA = 25°C)
- Reverse breakdown voltage is 30V min (IR = 10A, TA = 25°C)
- SOT-323 package, junction temperature range from -55 to 125°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Serie doble
Corriente Directa Promedio
200
Corriente de Sobretensión Directa
600
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-323
Tiempo de Recuperación Inversa
5
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
30
Voltaje Directo Máx.
800
Temperatura de Trabajo Máx.
125
No. de Pines
3Pines
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
