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NDT2955
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT2955Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06X6480
Re-reeling (Rollos a medida)58K9483
Cinta adhesiva58K9483
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.060 | $1.06 |
| Total Precio | $1.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 25+ | $0.527 |
| 50+ | $0.446 |
| 100+ | $0.365 |
| 250+ | $0.343 |
| 500+ | $0.320 |
| 1000+ | $0.295 |
| 2500+ | $0.277 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.252 |
| 8000+ | $0.242 |
| 16000+ | $0.233 |
| 24000+ | $0.225 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT2955Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06X6480
Re-reeling (Rollos a medida)58K9483
Cinta adhesiva58K9483
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.095ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDT2955 es un transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal P de 60V de montaje en superficie en paquete SOT-223. El transistor se produce mediante un proceso de zanja de alto voltaje y es adecuado para aplicaciones de administración de energía.
- Diseño de celda de alta densidad para Rds extremadamente bajo (ON)
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -2.5A
- Disipación de potencia (Pd) de 3W
- Baja resistencia estado encendido de 163mohm a Vgs -4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 105°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.095ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Disipación de Potencia
3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDT2955
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
