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NDS0605
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS0605Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo41K9479
Re-reeling (Rollos a medida)58K9477RL
Cinta adhesiva58K9477
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.372 | $0.37 |
| Total Precio | $0.37 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.372 |
| 50+ | $0.227 |
| 100+ | $0.143 |
| 250+ | $0.125 |
| 500+ | $0.106 |
| 1000+ | $0.094 |
| 2500+ | $0.092 |
| 5000+ | $0.090 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.067 |
| 18000+ | $0.066 |
| 30000+ | $0.064 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS0605Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo41K9479
Re-reeling (Rollos a medida)58K9477RL
Cinta adhesiva58K9477
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDS0605 es un FET de modo de mejora de canal P producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Se puede utilizar, con un mínimo de esfuerzo, en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 180mA CD y puede suministrar una corriente de hasta 1 A. Este producto es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje que requieren un interruptor de lado alto de baja corriente.
- Interruptor de señal pequeña de canal p controlado por voltaje
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Corriente de saturación alta
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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