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MMBT4126LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT4126LT1G
No. Parte Newark13AC3667
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua200
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia225
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición250
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Corriente del Colector Continua
200
Disipación de Potencia
225
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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